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使用指针式万用表检测VMOS场效应管的方法

2024-7-24 09:02| 发布者: gkket| 查看: 511| 评论: 0

摘要: VMOS场效应管是现代电子设备中常用的半导体器件之一,其性能稳定、功耗低,广泛应用于各种电路设计中。然而,当这些器件出现故障时,如何快速准确地判断其引脚极性和是否损坏就显得尤为重要。本文将介绍使用指针式万 ...
 VMOS场效应管是现代电子设备中常用的半导体器件之一,其性能稳定、功耗低,广泛应用于各种电路设计中。然而,当这些器件出现故障时,如何快速准确地判断其引脚极性和是否损坏就显得尤为重要。本文将介绍使用指针式万用表检测VMOS场效应管的方法。

   一、检测前的准备

   首先,确保你有一个工作正常的指针式万用表,并将其置于适当的档位。对于VMOS场效应管的检测,我们通常使用R×1k或R×10k档位。
   二、判别栅极G

   将万用表置于R×1k档,分别测量VMOS场效应管三个电极(栅极G、源极S、漏极D)之间的电阻
   观察测量结果,如果发现某个电极与其余两个电极间的正、反向电阻均为无穷大(∞),则这个电极就是栅极G。因为从结构上看,栅极G与其余两个电极是绝缘的。
   三、确定源极S和漏极D

   在确定栅极G后,将万用表仍然置于R×1k档。
   先将被测VMOS管的三个电极短接一下,以消除可能存在的静电电荷。
   以交换表笔的方法测量两次电阻,一次是黑表笔接某一电极,红表笔接另一电极;另一次是红表笔接同一电极,黑表笔接另一电极。
   正常情况下,两次所测电阻必定一大一小。其中阻值较小的测量中,黑表笔所接的为源极S,红表笔所接的为漏极D。
   四、判别导电沟道类型

   如果被测VMOS管为P沟道型管,则S、D极间电阻大小规律与N沟道型管相反。因此,通过测量S、D极间正向和反向电阻,也可以判别VMOS管的导电沟道的类型。

   五、判断是否损坏

   使用万用表R×1k或R×10k档,测量场效应管任意两电极之间的正、反向电阻值。
   正常时,除漏极与源极的正向电阻值较小外,其余各电极之间(G与D、G与S)的正、反向电阻值均应为无穷大。
   若测得某两极之间的电阻值接近0Ω,则说明该管已击穿损坏。

   六、实例说明

   以2SK1507型VMOS场效应管为例,通过上述方法进行检测。首先判别出栅极G,然后确定源极S和漏极D。在测量S、D极间电阻时,发现正向电阻较小,反向电阻无穷大,从而判断该管为N沟道型。最后,通过测量各电极之间的电阻值,确认该管未损坏。

   通过以上步骤,我们可以使用指针式万用表快速准确地检测VMOS场效应管的引脚极性和是否损坏。这对于电子爱好者和维修人员来说是非常实用的技能。
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